🔥【核心洞察】
- 技术拐点已至：DRAM行业正从传统的6F²平面架构，向4F²垂直通道晶体管（VCAT）架构加速转型，以解决电荷泄漏、微缩极限等根本性挑战，这是自3D NAND以来存储领域的又一重大技术跃迁。
- 三星领跑，全球竞逐：三星有望成为首个大规模量产4F² DRAM的厂商，目标在2028年前后。SK海力士、美光以及中国的长鑫存储均在积极布局，技术路径略有不同，但目标一致。
- “卖铲人”确定性受益：4F²转型将大幅提升对选择性外延生长（SEG）、原子层沉积（ALD）、高深宽比蚀刻及混合键合等先进半导体设备和工艺的需求，设备与材料供应商将迎来结构性增长机遇。
- 长期通向3D DRAM：4F²是通向未来3D DRAM的关键桥梁。其发展将重塑产业链价值分布，降低对EUV光刻的依赖，为中国等后发者提供潜在的超车机遇。
🔍【章节索引】
一、架构革命：为什么4F²是DRAM的必由之路？
- 6F²架构的极限：
现有平面结构面临电荷泄漏、干扰加剧、物理微缩逼近极限等挑战，导致每比特成本降低速度显著放缓，已无法满足AI时代对更高密度、更低功耗内存的需求。 - 4F² VCAT的核心优势：
密度跃升：通过将晶体管垂直环绕电容器，单元面积较6F²架构可缩减约30%-50%，一次性实现存储密度的大幅提升。
性能与功耗优化：垂直结构缩短了电流路径，降低了电阻和寄生电容，同时能大幅减少约60% 的电路间干扰，并降低整体功耗。
成本效益：在先进制程下，该架构可放宽部分设计规则，有助于将EUV光刻成本较传统方案降低一半。
二、技术竞速：主要厂商的路线图与战略博弈
- 三星：激进领跑者
计划跳过部分传统制程节点，直接攻关4F² VCT DRAM，目标在0a纳米节点实现量产，时间点可能在2028年及以后，以重塑其在存储领域的技术领导力。不过，也有消息称三星可能并行开发传统1e nm制程作为备选，4F²量产时间存在一定不确定性。 - SK海力士与美光：稳健跟进者
SK海力士可能采用更渐进策略，在三星之后约一年于0b纳米节点跟进，其研发重点是垂直栅极（VG）DRAM。
美光预计稍晚，可能在1-epsilon节点之后导入4F²技术。 - 中国路径：4F²与晶圆键合（CBA）结合
长鑫存储等国内厂商正积极研发4F²技术。考虑到先进光刻资源等因素，业界认为其可能采用 “4F² + CBA（晶圆键合）” 的独特路径。该技术将存储单元阵列和外围逻辑电路分别在两片晶圆上制作，再通过混合键合集成，可简化工艺并可能将部分逻辑制造外包。 - 技术多元化探索：
铠侠（Kioxia） 与南亚科合作，开发了基于氧化物半导体（IGZO）通道的4F² OCTRAM，利用其超低漏电特性，瞄准极低功耗的AI和物联网市场。
三、产业链机遇：谁将分享这场技术红利？
- 半导体设备：需求结构性上行
核心工艺设备：4F²制造需要大量的选择性外延生长（SEG）、原子层沉积（ALD）、高深宽比蚀刻等步骤，相关设备商将直接受益。
键合设备（Bonder）：无论是为了提升集成度的晶圆级混合键合（W2W），还是未来3D DRAM的必备技术，键合设备市场预计将从2025年的1000亿日元快速增长至2030年的3000亿日元。
关键供应商：应用材料（AMAT）、东京电子（TEL）、泛林半导体（Lam Research）、ASMI等全球龙头，以及国内的拓荆科技、北方华创、中微公司等将迎来机遇。 - 半导体材料：新一代耗材登场
新型金属栅极：钼（Mo）、钌（Ru）等新栅极材料的需求将增加。
高K介电材料：需要开发适用于垂直结构电容的新型高K介质材料。
其他材料：CMP抛光液、特种气体、前驱体等耗材用量也将随工艺步骤增加而上升。
四、挑战与展望：从4F²到3D DRAM的漫长征程
- 眼前的技术挑战：
浮体效应：垂直晶体管设计带来的浮体效应可能导致电荷泄漏，需通过复杂的背栅设计来缓解。
制造复杂性：工艺步骤激增，对均匀性、缺陷控制提出极致要求，初期良率爬升和成本控制是巨大挑战。 - 未来的演进方向：
3D DRAM是终极目标：4F²技术预计可支持3-4个节点，但长期看，像3D NAND一样向垂直堆叠发展（3D DRAM）是突破密度极限的必然选择。
产业格局潜在变数：3D DRAM更依赖蚀刻、沉积和键合技术，而非最尖端的EUV光刻，这可能为在先进制程上暂时落后的厂商（如中国存储企业）打开一道“弯道超车”的战略窗口。
